Двигатель баландина: КБ Русский мотор | Бесшатунный двигатель Баландина

КБ Русский мотор | Бесшатунный двигатель Баландина

Согласие на обработку персональных данных

Пользователь, оставляя заявку, оформляя подписку, комментарий, запрос на обратную связь, регистрируясь либо совершая иные действия, связанные с внесением своих персональных данных на интернет-сайте https://kbrusmotor.ru, принимает настоящее Согласие на обработку персональных данных (далее – Согласие), размещенное по адресу https://kbrusmotor.ru/personal-data-usage-terms/.

Принятием Согласия является подтверждение факта согласия Пользователя со всеми пунктами Согласия. Пользователь дает свое согласие организации «Автономная некоммерческая организация «Конструкторское бюро Зверева «Русский мотор»», которой принадлежит сайт https://kbrusmotor.ru на обработку своих персональных данных со следующими условиями:

Пользователь дает согласие на обработку своих персональных данных, как без использования средств автоматизации, так и с их использованием.
Согласие дается на обработку следующих персональных данных (не являющимися специальными или биометрическими):
• фамилия, имя, отчество;
• адрес(а) электронной почты;
• иные данные, предоставляемые Пользователем.

Персональные данные пользователя не являются общедоступными.

1. Целью обработки персональных данных является предоставление полного доступа к функционалу сайта https://kbrusmotor.ru.

2. Основанием для сбора, обработки и хранения персональных данных являются:
• Ст. 23, 24 Конституции Российской Федерации;
• Ст. 2, 5, 6, 7, 9, 18–22 Федерального закона от 27.07.06 года №152-ФЗ «О персональных данных»;
• Ст. 18 Федерального закона от 13.03.06 года № 38-ФЗ «О рекламе»;
• Устав организации «Автономная некоммерческая организация «Конструкторское бюро Зверева «Русский мотор»»;
• Политика обработки персональных данных.

3. В ходе обработки с персональными данными будут совершены следующие действия с персональными данными: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (распространение, предоставление, доступ), обезличивание, блокирование, удаление, уничтожение.

4. Передача персональных данных, скрытых для общего просмотра, третьим лицам не осуществляется, за исключением случаев, предусмотренных законодательством Российской Федерации.

5. Пользователь подтверждает, что указанные им персональные данные принадлежат лично ему.

6. Персональные данные хранятся и обрабатываются до момента ликвидации организации «Автономная некоммерческая организация «Конструкторское бюро Зверева «Русский мотор»». Хранение персональных данных осуществляется согласно Федеральному закону №125-ФЗ «Об архивном деле в Российской Федерации» и иным нормативно правовым актам в области архивного дела и архивного хранения.

7. Пользователь согласен на получение информационных сообщений с сайта https://kbrusmotor.ru. Персональные данные обрабатываются до отписки Пользователя от получения информационных сообщений.

8. Согласие может быть отозвано Пользователем либо его законным представителем, путем направления Отзыва согласия на электронную почту – [email protected] с пометкой «Отзыв согласия на обработку персональных данных». В случае отзыва Пользователем согласия на обработку персональных данных организация «Автономная некоммерческая организация «Конструкторское бюро Зверева «Русский мотор»» вправе продолжить обработку персональных данных без согласия Пользователя при наличии оснований, указанных в пунктах 2 — 11 части 1 статьи 6, части 2 статьи 10 и части 2 статьи 11 Федерального закона №152-ФЗ «О персональных данных» от 27. 07.2006 г. Удаление персональных данных влечет невозможность доступа к полной версии функционала сайта https://kbrusmotor.ru.

9. Настоящее Согласие является бессрочным, и действует все время до момента прекращения обработки персональных данных, указанных в п.7 и п.8 данного Согласия.

10. Место нахождения организации «Автономная некоммерческая организация «Конструкторское бюро Зверева «Русский мотор»» в соответствии с учредительными документами: 625027, г. Тюмень, ул. Харьковская, д. 54-а, кв. 30.

Ошибка

• Автомобиль — модели, марки
• Устройство автомобиля
• Ремонт и обслуживание
• Тюнинг

• Аксессуары и оборудование
• Компоненты
• Безопасность
• Физика процесса

• Новичкам в помощь
• Приглашение
• Официоз (компании)
• Пригородные маршруты

• Персоны
• Наши люди
• ТЮВ
• Эмблемы

•  
• А
• Б
• В
• Г
• Д
• Е
• Ё
• Ж
• З
• И
• Й
• К
• Л
• М
• Н
• О
• П
• Р
• С
• Т
• У
• Ф
• Х
• Ц
• Ч
• Ш
• Щ
• Ъ
• Ы
• Ь
• Э
• Ю
• Я

Навигация

• Заглавная страница
• Сообщество
• Текущие события
• Свежие правки
• Случайная статья
• Справка

Личные инструменты

• Представиться системе

Инструменты

• Спецстраницы

Пространства имён

• Служебная страница

Просмотры

Перейти к: навигация, поиск

Запрашиваемое название страницы неправильно, пусто, либо неправильно указано межъязыковое или интервики название. Возможно, в названии используются недопустимые символы.

Возврат к странице Заглавная страница.

Если Вы обнаружили ошибку или хотите дополнить статью, выделите ту часть текста статьи, которая нуждается в редакции, и нажмите Ctrl+Enter. Далее следуйте простой инструкции.

Электроника для работы при экстремальных температурах | Американский институт физики

Футуристический материал дисульфид молибдена может найти новое применение для тонкопленочных транзисторов в высокотемпературной электронике и датчиках суровые условия окружающей среды, в том числе экстремальные температуры выше 200° по Цельсию. Примеры высокотемпературных применений включают управление газотурбинными двигателями в аэрокосмической и электронной промышленности или датчики, используемые для буровых работ в нефтегазовой промышленности. Хотя традиционные системы охлаждения могут помочь электронике работать при высоких температурах, в некоторых приложениях охлаждение может оказаться невозможным, или может быть более привлекательным, чтобы электроника работала в горячем состоянии, чтобы повысить надежность системы или снизить стоимость.

Однако наличие транзисторов и схем для работы при высоких температурах очень ограничено.

Теперь группа исследователей из Калифорнийского университета в Риверсайде и Политехнического института Ренсселера обнаружила, что дисульфид молибдена (MoS ₂ ), полупроводниковый материал, может быть многообещающим кандидатом для изготовления тонкопленочных транзисторов для приложений с экстремальными температурами. В статье, опубликованной на этой неделе в журнале Journal of Applied Physics издательством AIP Publishing, исследователи сообщают об изготовлении тонкопленочных транзисторов на основе дисульфида молибдена и их функциональных характеристиках при высоких температурах, демонстрируя потенциал материала для электроники при экстремальных температурах.

«Наше исследование показывает, что тонкопленочные транзисторы на основе дисульфида молибдена сохраняют работоспособность при высоких температурах не менее 500 кельвинов [220 по Цельсию]», — сказал Александр Баландин, руководитель группы и профессор кафедры электротехники и вычислительной техники Калифорнийского университета.

-Риверсайд. «Транзисторы также демонстрируют стабильную работу после двух месяцев старения, что предполагает новые применения тонкопленочных транзисторов на основе дисульфида молибдена в электронике и датчиках, работающих при экстремальных температурах».

Молибденит, минерал дисульфида молибдена, является распространенным природным материалом, который обычно используется в качестве добавки к смазочным материалам. Было обнаружено, что дисульфид молибдена, синтезированный методом химического осаждения из паровой фазы, является многообещающим материалом для производства гибких тонкопленочных транзисторов — устройств, которые управляют движением электронов и электрического тока, как водопроводный кран.

Согласно Баландину, дисульфид молибдена принадлежит к семейству, называемому ван-дер-ваальсовыми материалами, которые имеют характерную слоистую кристаллическую структуру с атомными слоями, слабо связанными друг с другом (тип связи, технически называемый «ван-дер-ваальсовым взаимодействием», откуда происходит название). Слабая связь между атомными листами позволяет расслаивать такие материалы слой за слоем, подобно процессу, используемому для получения графена путем отделения тонких листов от кусков графита. Слоистая структура также предполагает, что чрезвычайно тонкие и высококачественные слои могут быть также получены путем химического осаждения из паровой фазы в промышленных масштабах.

«Хотя устройства, изготовленные из обычных широкозонных полупроводников, таких как карбид кремния или нитрид галлия, обещают длительную работу при высоких температурах, они по-прежнему не рентабельны для приложений с большими объемами», — сказал Баландин. «Однослойный дисульфид молибдена имеет ширину запрещенной зоны 1,9 эВ, что больше, чем у арсенида кремния и галлия. Это выгодно для предлагаемого применения». Наличие большей ширины запрещенной зоны означает, что устройство можно легко включать и выключать, что является важным свойством для работы транзистора.

«Горячий» новый материал

В последнее время дисульфид молибдена вызывает большой интерес в области устройств, но команда Баландина первой исследовала потенциал этого материала для высокотемпературной электроники.

Используя стандартные методы литографии в чистой комнате, команда Баландина создала транзисторы из дисульфида молибдена на кремниевой подложке для высокотемпературных экспериментов. У некоторых было всего несколько слоев (1-3), а у других было больше, несколько слоев (15-18). По словам Баландина, относительно толстые пленки были более термически стабильными и демонстрировали более высокую подвижность при повышенных температурах.

Проводя измерение постоянного тока, метод подачи постоянного напряжения или тока через устройство в течение относительно длительного времени, исследователи изучили вольт-амперные характеристики или функциональные характеристики изготовленного транзистора при температурах от 300 до 500 Кельвинов. Они обнаружили, что устройство работает по-разному, но остается работоспособным при повышении температуры.

— И подвижность, и пороговое напряжение снижаются с температурой, — сказал Баландин. «Уменьшение подвижности приводит к уменьшению тока через канал устройства, в то время как уменьшение порогового напряжения приводит к увеличению тока.

Следовательно, точное поведение тока при повышении температуры будет зависеть от взаимодействия уменьшения подвижности и порогового напряжения».

Еще одна интригующая особенность, обнаруженная исследователями, — это характерный «излом» на графике ток-напряжение при нулевом напряжении для температур выше 450 Кельвинов. Этот «эффект памяти» подобен эффекту, наблюдаемому в графеновых транзисторах и электронных стеклах, и предполагает потенциал материала для использования в высокотемпературных датчиках.

По словам Баландина, практическое применение дисульфидмолибденовых транзисторов в схемах управления или датчиках при высоких температурах требует эксплуатации более одного месяца. Как выяснила команда, через два месяца состаренные устройства продемонстрировали стабильную работу и характеризовались более высоким пороговым напряжением, меньшей подвижностью и более слабой температурной зависимостью подвижности.

Следующим шагом исследователей является изучение высокотемпературной функции транзисторов и схем из дисульфида молибдена, изготовленных промышленными методами, такими как химическое осаждение из паровой фазы.

###

Для получения дополнительной информации:
Джейсон Сократ Барди
+1 240-535-4954
[email protected]
@jasonbardi

Квантованные электронные пути в наноструктурах, — Research Explorer, Манчестерский университет 004 9001

Исходный язык	English
Title of host publication	Handbook of Semiconductor Nanostructures and Devices
Subtitle of host publication	ISBN:158883-073-X
Publisher	American Scientific Publishers
Страницы	483-511
Статус публикации	Опубликовано — 2006

• АПА
• Автор
• БИБТЕКС
• Гарвард
• Стандарт
• РИС
• Ванкувер

Сонг, А. М., Кингсли, Дж., Баландин, А.А. (ред.), и Ван, К.Л. (ред.) (2006). Квантованные электронные пути в наноструктурах, в Справочник по полупроводниковым наноструктурам и устройствам: ISBN: 158883-073-X (стр. 483-511). Американские научные издательства.

Песня, А. М. ; Кингсли, Дж.; Баландин А.А. (редактор) и соавт. / Квантованные электронные пути в наноструктурах, . Справочник по полупроводниковым наноструктурам и устройствам: ISBN: 158883-073-X. American Scientific Publishers, 2006. стр. 483-511

@inbook{125229953c98452eb0712ef69d75def8,

title = «Квантованные электронные пути в наноструктурах»,

автор = «Сонг, {А.М.} и Дж. Кингсли и Баландин, {А.А.} и Ван, {К.Л.}»,

год = «2006»,

язык = «Английский»,

страницы = «483 —511»,

booktitle = «Справочник по полупроводниковым наноструктурам и устройствам»,

издатель = «American Scientific Publishers»,

address = «Соединенные Штаты»,

}

Song, AM, Kingsley, J, Баландин, А. А. (ред.) и Ван, К.Л. (ред.) 2006, Квантованные электронные пути в наноструктурах, в Справочник по полупроводниковым наноструктурам и устройствам: ISBN: 158883-073-X. American Scientific Publishers, стр. 483-511.

Квантованные электронные пути в наноструктурах, / Song, A.M.; Кингсли, Дж.; Баландин А.А. (редактор) и соавт.

Справочник по полупроводниковым наноструктурам и устройствам: ISBN: 158883-073-X. Американские научные издательства, 2006. с. 483-511.

Результаты исследования: глава в книге/отчете/материалах конференции › Глава

TY — ГЛАВА

T1 — Квантовые электронные пути в наноструктурах,

AU — Song, A. M.

Au — Kingsley, J.

A2 — Balandin, A. A.

A2 — Wang, K. L.

Py — 2006

y1 — К. Л. 2006

M3 — Глава

SP — 483

EP — 511

BT — Справочник по полупроводниковым наноструктурам и устройствам

PB — American Scientific Publishers

ER —

Song Am, Kingse J, Balandin Aa, Ed (Ed .